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背散射電子（BSE）是由彈性散射產(chǎn)生的。當主電子束中的電子接近樣品中的原子核時，受到原子核中正電荷的作用力，它們的運動軌跡發(fā)生了偏離。背散射電子的產(chǎn)率取決于原子核的大小。BSE圖像對比度反應了樣品表面的成分襯度。在這篇博客中，會介紹背散射電子系數(shù)，并解釋它是如何受到樣品傾斜度和入射電子束能量的影響。
背散射系數(shù)
背散射電子是由入射電子束中入射電子的彈性散射產(chǎn)生的，其能量大于50eV，在飛納電鏡之前的一篇博客中解釋過。背散射電子數(shù)量產(chǎn)生取決于許多因素，包括樣品中材料的原子序數(shù)和電子束的加速度電壓。
電子束與樣品相互作用產(chǎn)生的背散射電子的數(shù)量被稱為背散射系數(shù) η，定義為背散射電流（IBSE）和探針電流（IP）的比值：
其中 EB 是背散射電子的排出能量。背散射系數(shù)受加速電壓、原子序數(shù) Z 以及樣品表面與入射電子束的夾角的影響。
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